9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GP08J-E3/54,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。GP08J-E3/54参考价格为0.17803美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GP08J-E3/54封装/规格:DIODE GEN PURP 600V 800MA DO204。您可以下载GP08J-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GP08GEHE3/54是DIODE GEN PURP 400V 800MA DO204,包括SUPERCTIFIERR系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)包装,数据表注释中显示了用于DO-204AL、DO-41、轴向的包装盒,提供安装类型功能,如通孔,供应商设备包设计用于DO-204A L(DO-41),以及标准恢复>500ns,>200mA(Io)速度,该设备也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为5μA@400V,该设备提供1.3V@800mA电压正向Vf Max。如果,该设备具有400V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为800mA,反向恢复时间trr为2μs,其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
GP08GHE3/54是DIODE GEN PURP 400V 800MA DO204,包括1.3V@800MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行,供应商设备包如数据表注释所示,用于DO-204AL(DO-41),提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),系列设计为在SUPERECTIERR中工作,除了2μs反向恢复时间trr,该设备还可以用作磁带和卷轴(TR)包装。此外,封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向,其工作温度结范围为-65°C~175°C,装置具有安装型通孔,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为5μa@400V,电流平均整流Io为800mA。
GP08GHE3/73是DIODE GEN PURP 400V 800MA DO204,包括800MA电流平均整流Io,它们设计为在400V电流反向泄漏Vr下工作5μa,二极管类型如数据表注释所示,用于标准中,该标准提供安装类型功能,如通孔,其工作温度结范围为-65°C~175°C,以及DO-204AL、DO-41、,轴向包装盒,该设备也可以用作磁带盒(TB)包装。此外,反向恢复时间trr为2μs,该设备采用SUPERECTIFIERR系列,该设备的标准恢复时间>500ns,速度>200mA(Io),供应商设备包为DO-204AL(DO-41),直流反向电压Vr最大值为400V,正向电压Vf最大值为1.3V@800mA。