9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RS2B-E3/5BT,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。RS2B-E3/5BT参考价格为0.15720美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RS2B-E3/5BT封装/规格:DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA。您可以下载RS2B-E3/5BT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如RS2B-E3/5BT价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
RS2B-E3/52T是DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA,包括快速恢复整流器产品,它们设计用于磁带和卷轴(TR)交替包装包装,数据表注释中显示了RS2B-E3/3BT中使用的零件别名,该RS2B-E5/5BT提供单位重量功能,如0.006349盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及DO-214AA SMB包装箱,该装置也可以用作表面安装型。此外,供应商设备包为DO-214AA(SMB),该设备以单配置提供,该设备的速度快速恢复=200mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为5μa@100V,电压正向Vf Max If为1.3V@1.5A,电压直流反向Vr Max为100V,电流平均整流Io为1.5A,反向恢复时间trr为150ns,电容Vr F为20pF@4V,1MHz,工作温度结范围为-55°C~150°C,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vf正向电压为1.3V,Vr反向电压为100V,Ir反向电流为5uA,如果正向电流为1.5A,最大浪涌电流为50A,恢复时间为150ns。
RS2BBF,带有TOSHIBA/VISHAY制造的用户指南。RS2BBF采用SMBF封装,是IC芯片的一部分。
RS2B-E3,带有VISHAY制造的电路图。RS2B-E3采用DO-214AA(SMB)封装,是二极管、整流器-单个的一部分。