9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS25HE3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS25HE3_A/H参考价格为0.20068美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS25HE3_A/H封装/规格：DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO214AA。您可以下载SS25HE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS25FA带有引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOD-123W以及Si技术，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SOD-123FA，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为400μa@50V，电压正向Vf Max If为700mV@2A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为120pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55℃~150℃，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为700 mV，Vr反向电压为4 V，Ir反向电流为400 uA，如果正向电流为2 A，Vrm重复反向电压为50V，Ifsm正向浪涌电流为50A。
SS25-E3/52T是DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO214AA，包括50V Vrm重复反向电压，它们设计为在700mV@2A电压正向Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于50V的电压直流反向Vr Max，该50V提供了0.7 V的正向电压特性，单位重量设计为0.006349盎司，以及Si技术，该设备也可以用作DO-214AA（SMB）供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该器件采用肖特基整流器产品，该器件具有SS25-E3/5BT零件别名，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为DO-214AA，SMB，其工作温度结范围为-65°C~125°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为400μA，Ifsm正向浪涌电流为75 A，If正向电流为2 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为400μA@50V，电流平均整流Io为2A，配置为单一。
SS25-E3/5BT是DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO214AA，包括单一配置，它们设计用于2A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于400μa@50V，提供二极管类型的特性，如肖特基，如果正向电流设计用于2A，以及75 a Ifsm正向浪涌电流，该器件也可以用作400 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，该器件具有安装型表面安装，安装类型为SMD/SMT，其工作温度结范围为-65°C~125°C，包装箱为DO-214AA，SMB，包装为磁带和卷轴（TR），零件别名为SS25-E3/52T，产品为肖特基整流器，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为DO-214AA（SMB），技术为Si，单位重量为0.006349 oz，Vf正向电压为0.7V，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为700mV@2A，Vrm重复反向电压为50V。
SS25-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SS25-E3采用SMB封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
