9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-3EGU06-M3/5BT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-3EGU06-M3/5BT参考价格为0.16709美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-3EGU06-M3/5BT封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 3A SMB。您可以下载VS-3EGU06-M3/5BT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-3EGH06-M3/5BT是DIODE FRED SMB，包括FRED PtR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR），提供单位重量功能，如0.003284盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及FRED Pt商品名，该设备也可以用作DO-214AA，SMB包案例。此外，安装类型为表面安装，该设备在SMB供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为3μa@600V，正向电压Vf Max If为1.7V@3A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为25ns，工作温度结范围为-55℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为1.7 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为3 uA，If正向电流为3 A，最大浪涌电流为55 A，恢复时间为35ns。
带用户指南的VS-3ECH02HM3/9AT，包括900mV@3A正向电压Vf Max，如果设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SMC（DO-214AB）的供应商设备包，该SMC提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计用于汽车、AEC-Q101、FRED PtR、，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AB、SMC封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为2μa@200V，电流平均整流Io为3A。
VS-3ECH02-M3/9AT，带电路图，包括3A电流平均整流Io，设计用于在2μa@200V电流反向泄漏Vr的情况下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结区范围为-55°C~175°C，以及DO-214AB，SMC封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，该系列是FRED PtR，该设备提供的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有供应商设备包的SMC（DO-214AB），电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为900mV@3A。
