9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计和生产的BAS21GWX，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。BAS21GWX价格参考值0.22000美元。Nexperia USA Inc.BAS21GWX包装/规格：DIODE GEN PURP 200V 225MA SOD123。您可以下载BAS21GWX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS21-G3-08，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）替代包装一起操作，包装箱如数据表注释所示，用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在SOT-23中工作，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为100nA@200V，器件提供1.25V@200mA电压正向Vf Max。如果，器件具有200V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为200mA，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C。
BAS21-G3-18带用户指南，包括1.25V@200mA电压正向Vf Max，如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于SOT-23，提供速度特性，如小信号=，系列设计用于汽车、AEC-Q101，以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为100nA@200V，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为5pF@0V，1MHz。
BAS21-GS08，带有VISH制造的电路图。BAS21-GS08采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
BAS21-GS18，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。BAS21-GS18采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
