9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS3P3LHM3_A/H,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SS3P3LHM3_A/H参考价格为0.24516美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS3P3LHM3_A/H封装/规格:DIODE SCHOTTKY 30V 3A TO277A。您可以下载SS3P3LHM3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS3P3HM3/84A是DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO220AA,包括eSMPR系列,它们设计用于肖特基整流器产品,包装如数据表注释所示,用于磁带和卷轴(TR)替代包装,提供单位重量功能,如0.000847盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及DO-220AA包装盒,该器件也可以用作Si技术。此外,安装类型为表面安装,该设备在DO-220AA(SMP)供应商设备包中提供,该设备的速度快速恢复=200mA(Io),二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为200μa@30V,电压正向Vf Max If为580mV@3A,电压直流反向Vr Max为30V,电流平均整流Io为3A,电容Vr F为130pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C~150°C,Vf正向电压为0.58 V,Vrm重复反向电压为30 V,Ifsm正向浪涌电流为50 A。
SS3P3HM3/85A是DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO220AA,包括30 V Vrm重复反向电压,它们设计为以580mV@3A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于30V的电压直流反向Vr Max,其提供了0.58 V等Vf正向电压特性,该设备也可以用作DO-220AA(SMP)供应商设备包。此外,速度为快速恢复=200mA(Io),该设备为eSMPR系列,该设备具有肖特基整流器产品,包装为磁带和卷轴(TR)交替包装,包装箱为DO-220AA,其工作温度结范围为-55°C~150°C,安装样式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,Ifsm正向浪涌电流为50A,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为200μA@30V,电流平均整流Io为3A,电容Vr F为130pF@4V,1MHz。
SS3P3HM3J/84A带电路图,包括130pF@4V、1MHz电容Vr F,它们设计用于3A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于200μa@30V,提供肖特基等二极管型功能,安装型设计用于表面安装,它的工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件也可以用作DO-220AA封装盒。此外,包装为磁带和卷轴(TR),该设备在汽车AEC-Q101系列中提供,该设备的速度快速恢复=200mA(Io),供应商设备包装为DO-220AA(SMP),电压DC反向Vr最大值为30V,电压正向Vf最大值为580mV@3A。
SS3P3HM3/86A,带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SS3P3HM3/86A采用TO-277A(SMPC)封装,是IC芯片的一部分。