9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ESH1PB-M3/85A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ESH1PB-M3/85A参考价格为0.16814美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ESH1PB-M3/85A封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA。您可以下载ESH1PB-M3/85A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ESH1PB-M3/84A是DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA，包括eSMPR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供零件别名功能，如ESH1PB/M3/85A，单位重量设计为0.000847盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可用作DO-220AA包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-220AA（SMP）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@100V，电压正向Vf Max If为900mV@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为25pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~175°C，Vf正向电压为900mV，Vr反向电压为100V，Ir反向电流为25uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为35ns。
ESH1PBHM3/85A是DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA，包括900mV@1A电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-220AA（SMP）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-220AA，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@100V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为25pF@4V，1MHz。
ESH1PB-M3，带有VISHAY制造的电路图。ESH1PB-M3采用DO-220AA封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
