9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ESH3D-M3/9AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ESH3D-M3/9AT参考价格为0.24535美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ESH3D-M3/9AT封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB。您可以下载ESH3D-M3/9AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ESH3D-E3/57T是DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB，其中包括超快恢复整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.010582盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，包装箱设计用于DO-214AB、SMC、，除了表面安装型外，该设备还可以用作DO-214AB（SMC）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为900mV@3A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为40ns，其工作温度结范围为-55℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为900 mV，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为3 A，最大浪涌电流为125 A，恢复时间为55 ns。
ESH3C-M3/9AT带用户指南，包括900mV@3A电压正向Vf Max，如果设计为在150V电压直流反向Vr Max下运行，数据表说明中显示了用于DO-214AB（SMC）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为40ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-214AB、SMC包装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为70pF@4V，1MHz。
ESH3D是由VISHAY制造的“整流器3A”。ESH3D采用DO-214AA-2封装，是IC芯片的一部分，支持“整流器3A、整流器3A、200V、SUPER FAST Surf Mt Rect”。
