9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ESH3C-M3/57T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ESH3C-M3/57T参考价格为0.24535美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ESH3C-M3/57T封装/规格：DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB。您可以下载ESH3C-M3/57T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ESH3B-M3/57T，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-214AB、SMC包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包装功能，如DO-214AA、（SMC），速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@100V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为900mV@3A，该器件提供100V电压直流反向Vr Max，该器件具有3A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为40ns，电容Vr F为70pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
ESH3B-M3/9AT带用户指南，包括900mV@3A电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AB（SMC）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为40ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-214AB、SMC包装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为70pF@4V，1MHz。
ESH3C是“台湾半导体制造的整流器3A”。ESH3C采用SOD-123FL封装，是二极管、整流器阵列的一部分，并支持“整流器3A、整流器3A、150V、SUPER FAST Surf Mt Rect”。
