9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAS40-00-HE3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAS40-00-HE3-18参考价格为0.05544美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAS40-00-HE3-18封装/规格：DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23。您可以下载BAS40-00-HE3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS40-00-G3-18，带引脚细节，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如BAS40-00-V-G-18，单位重量设计为0.000310盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的SOT-23，配置为单一，速度为小信号=，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为100nA@30V，电压正向Vf Max If为1V@40mA，电压反向Vr Max为40V，电流平均整流Io为200mA，反向恢复时间trr为5ns，电容Vr F为5pF@0V，1MHz，工作温度结范围为125°C（最大值），Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1000 mV，Ir反向电流为100nA，If正向电流为200mA，Vrm重复反向电压为40V，Ifsm正向浪涌电流为600mA，trr反向恢复时间为5ns。
BAS40-00-HE3-08是DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23，包括40V Vrm重复反向电压，它们设计为在40mA电压正向Vf Max下以1V运行。如果数据表注释中显示了用于40V的电压直流反向Vr Max，其提供了1000 mV等Vf正向电压特性，该器件还可以用作Si技术。此外，供应商设备包装为SOT-23，该设备以小信号=速度提供，该设备具有自动AEC-Q101系列，反向恢复时间trr为5ns，产品为肖特基二极管，Pd功耗为200mW，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3、，它的工作温度结范围为125°C（最大），安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+125 C，Ir反向电流为100 nA，Ifsm正向浪涌电流为600 mA，如果正向电流为200 mA，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为100nA@30V，电流平均整流Io为200mA，配置为单一，电容Vr F为5pF@0V，1MHz。
BAS40-00-GS08，带有VISHAY制造的电路图。BAS40-00-GS08采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
