9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MURS120HE3_A/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MURS120HE3_A/I价格参考0.18755美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MURS120HE3_A/I封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA。您可以下载MURS120HE3_A/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MURS120-E3/5BT是DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于带卷（TR）替代包装包装。数据表注释中显示了用于MURS120-E3/52T的零件别名，该MURS120/E3/52T提供单位重量功能，如0.006349盎司，安装样式设计用于SMD/SMT以及DO-214AA，SMB封装盒，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AA（SMB），该设备以单配置提供，该设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为2μa@200V，电压正向Vf Max If为875mV@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为35ns，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为875 mV，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为2 uA，如果正向电流为2 A，最大浪涌电流为40 A，恢复时间为35ns。
带用户指南的MURS120/2，包括875mV@1A电压正向Vf最大值。如果设计为在200V电压直流反向Vr最大值下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为35ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为2μa@200V，电流平均整流Io为2A。
MURS120-13-F是DIODE GEN PURP 200V 1A SMB，包括27pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于2μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可用作DO-214AA、SMB封装盒。此外，包装为Digi-ReelR，该设备以25ns反向恢复时间trr提供，该设备速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为SMB，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为875mV@1A。
MURS120-E3/52T是DIODE GP 200V 1A DO214AA，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表说明中显示了SMB中使用的封装盒，提供了配置功能，如单个，包装设计用于卷筒，以及MURS120-E3/5BT零件别名，该器件也可以用作875mV Vf正向电压。此外，最大浪涌电流为40 A，设备在35 ns恢复时间内提供，设备具有200 V的Vr反向电压，Ir反向电流为2 uA，如果正向电流为2 A，单位重量为0.006349 oz，则其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围为-65 C。
