9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SE15FJ-M3/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SE15FJ-M3/H价格参考$0.07805。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SE15FJ-M3/H封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO219AB。您可以下载SE15FJ-M3/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SE15FJHM3/H，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-219AB，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计为在DO-219A B（SMF）中工作，以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@600V，该器件提供1.05V@1.5A电压正向Vf Max。如果，该器件具有600V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1.5A，反向恢复时间trr为900ns，电容Vr F为10.5pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
SE15FJHM3/I带有用户指南，包括1.05V@1.5A正向电压Vf Max。如果设计为在600V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-219AB（SMF）中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，以及900ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-219AB，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电流平均整流Io为1.5A，电容Vr F为10.5pF@4V，1MHz。
SE15FJ-M3/H带电路图，包括10.5pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1.5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作DO-219AB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，设备提供900ns反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），供应商设备包装为DO-219AB（SMF），直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.05V@1.5A。
