9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAT54-HE3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAT54-HE3-18参考价格0.32000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAT54-HE3-18封装/规格：DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23。您可以下载BAT54-HE3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAT54-HE3-08是二极管肖特基30V 200MA SOT23，包括汽车、AEC-Q101系列，设计用于肖特基二极管产品。数据表说明中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，提供单位重量功能，如0.000310盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOT-23供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为小信号=，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为2μa@25V，电压正向Vf Max If为800mV@100mA，电压直流反向Vr Max为30V，电流平均整流Io为200mA（DC），反向恢复时间trr为5ns，电容Vr F为10pF@1V，1MHz，工作温度结范围为125°C（最大），Pd功耗为230 mW，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为800 mV，Ir反向电流为2 uA，如果正向电流为200mA，且Vrm重复反向电压为30V，且Ifsm正向浪涌电流为600mA，且trr反向恢复时间为5ns。
BAT54H，115是DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123F，包括800mV@100mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在30V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SOD-123F中使用的供应商设备包，该设备包提供速度特性，如小信号=，以及SOD-123F封装外壳，其工作温度结范围为125°C（最大值）。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有2μa@25V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为200mA（DC），电容Vr F为10pF@1V，1MHz。
带有电路图的BAT54H JV BAT54H合资企业以SOT-323封装形式提供，是IC芯片的一部分。
