9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES1PB-M3/85A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES1PB-M3/85A参考价格为0.15939美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES1PB-M3/85A封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA。您可以下载ES1PB-M3/85A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ES1PB-M3/84A是DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA，包括eSMPR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供零件别名功能，如ES1PB-M3/85A，单位重量设计为0.003739盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可用作DO-220AA包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-220AA（SMP）供应商设备包中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为920mV@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150°C；其最小工作温度范围是-50 C，Vf正向电压为920 mV，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为30ns。
ES1PBHM3/84A是DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA，包括920mV@1A正向电压Vf Max。如果它们设计用于100V直流反向电压Vr Max，单位重量如数据表注释所示，用于0.000847盎司，提供供应商设备包功能，如DO-220AA（SMP），速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及eSMPR系列，该设备也可以用作25ns反向恢复时间trr。此外，该封装为磁带和卷轴（TR）交替封装，该器件采用DO-220AA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@100V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F在4V、1MHz时为10pF。
ES1PBHM3/85A是DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA，包括10pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@100V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，以及SMD/SMT安装类型，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，包装箱为DO-220AA，设备采用磁带和卷轴（TR）交替包装，设备具有25ns的反向恢复时间trr，系列为eSMPR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-220A（SMP），单位重量为0.000847盎司，电压DC反向Vr最大值为100V，正向电压Vf Max If为920mV@1A。
