9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S3A-E3/9AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S3A-E3/9AT参考价格为0.15972美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S3A-E3/9AT封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB。您可以下载S3A-E3/9AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S3A-E3/57T是DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB，包括标准回收整流器产品，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，数据表中显示了用于S3A-E3/9AT的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.010582盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AB SMC包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AB（SMC），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，电压正向Vf Max If为1.15V@2.5A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为2.5μs，电容Vr F为60pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，2.5A时Vf正向电压为1.15 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为100A，恢复时间为2500ns。
带有用户指南的S3ABTR，包括1.2V@3A电压正向Vf最大值。如果设计为在50V电压直流反向Vr最大值下运行，则数据表说明中显示了SMB（DO-214AA）中使用的供应商设备包，该SMB提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为2.5μs，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为60pF@4V，1MHz。
S3AC，电路图由SUMMIT制造。S3AC采用SMC（DO-214AB）封装，是IC芯片的一部分。
