9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SBYV28-50-E3/73,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SBYV28-50-E3/73参考价格为0.20375美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SBYV28-50-E3/73封装/规格:DIODE GEN PURP 50V 3.5A DO201AD。您可以下载SBYV28-50-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的,你可以通过电子邮件或在线信息联系我们,例如SBYV28-50-E3/73价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
SBYV28-200-E3/73是DIODE GEN PURP 200V 3.5A DO201AD,其中包括超快恢复整流器产品,它们设计为与磁带盒(TB)替代包装一起使用,单位重量如数据表注释所示,用于0.038801盎司,具有通孔等安装方式特征,包装箱设计为在DO-201AD、轴向、,以及通孔安装类型,该设备也可以用作DO-201AD供应商设备包。此外,速度快速恢复=200mA(Io),该器件为标准二极管类型,该器件具有5μa@200V电流反向泄漏Vr,电压正向Vf Max If为1.1V@3.5A,电压直流反向Vr Max为200V,电流平均整流Io为3.5A,反向恢复时间trr为20ns,电容Vr F为20pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C~150°C,最大工作温度范围为+150°C;最小工作温度范围-55°C,Vf正向电压为1.1 V,Vr反向电压为200 V,Ir反向电流为5 uA,If正向电流为3.5 A,最大浪涌电流为90 A,恢复时间为20 ns。
SBYV28-200-E3/54是DIODE GEN PURP 200V 3.5A DO201AD,包括200V Vr反向电压,它们设计为在1.1V@3.5A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于200V的直流反向Vr Max,该200V提供1.1 V的正向电压特性,单位重量设计为0.038801盎司,以及DO-201AD供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,反向恢复时间trr为20ns,该设备在20ns恢复时间内提供,该设备具有产品的超快恢复整流器,包装为切割胶带(CT)交替包装,包装箱为DO-201AD,轴向,其工作温度接合范围为-55°C~150°C,安装方式为通孔,安装类型为通孔,它的最小工作温度范围为-55 C,最大浪涌电流为90 A,最大工作温度范围+150 C,Ir反向电流为5 uA,If正向电流为3.5 A,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为5μA@200V,电流平均整流Io为3.5A,电容Vr F为20pF@4V,1MHz。
SBYV28-50-E3/54是DIODE GEN PURP 50V 3.5A DO201AD,包括20pF@4V,1MHz电容Vr F,它们设计用于3.5A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于5μa@50V,提供二极管类型的功能,如标准,如果正向电流设计用于3.5 a,以及5 uA Ir反向电流,它的最大工作温度范围为+150℃。此外,最大浪涌电流为90 A,最小工作温度范围是-55℃,该设备具有安装类型的通孔,安装类型为通孔,其工作温度结范围为-55℃~150℃,包装箱为DO-201AD,轴向,包装为磁带和卷轴(TR)交替包装,产品为超快恢复整流器,恢复时间为20ns,反向恢复时间trr为20ns;速度为快速恢复=20mA(Io),供应商设备包装为DO-201AD,单位重量为0.038801 oz,Vf正向电压为1.1V,电压DC反向Vr Max为50V,电压正向Vf Max If为1.1V@3.5A,Vr反向电压为50V。