9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UG4C-E3/73,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。UG4C-E3/73参考价格为0.20375美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UG4C-E3/73封装/规格:DIODE GEN PURP 150V 4A DO201AD。您可以下载UG4C-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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UG4C-E3/54是DIODE GEN PURP 150V 4A DO201AD,包括超快速恢复整流器产品,它们设计为与磁带和卷轴(TR)交替包装一起工作,单位重量如数据表注释所示,用于0.038801盎司,提供安装类型功能,如通孔,包装箱设计用于DO-201AD,轴向,以及通孔安装类型,该设备也可以用作DO-201AD供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备提供快速恢复=200mA(Io)速度,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为5μa@150V,正向电压Vf Max If为950mV@4A,直流反向电压Vr Max为150V,电流平均整流Io为4A,反向恢复时间trr为30ns,电容Vr F为20pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C~150°C,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vf正向电压为0.95 V,Vr反向电压为150 V,Ir反向电流为5 uA,如果正向电流为4 A,最大浪涌电流为150 A,恢复时间为30 ns。
UG4B-M3/54带用户指南,包括950mV@4A电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行,则DO-201AD中使用的数据表说明中显示了供应商设备包,该设备提供快速恢复=200mA(Io)、反向恢复时间trr设计为在30ns内工作,除了磁带和卷轴(TR)交替包装包装外,该设备还可以用作DO-201AD轴向包装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该设备为通孔安装型,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为5μa@100V,电流平均整流Io为4A,电容Vr F为20pF@4V,1MHz。
UG4B-M3/73带有电路图,包括20pF@4V、1MHz电容Vr F,它们设计用于4A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于5μa@100V,提供标准等二极管类型功能,安装类型设计用于通孔,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C,该装置也可用作DO-201AD轴向包装箱。此外,包装为磁带盒(TB)交替包装,设备以15ns反向恢复时间trr提供,设备速度快速恢复=20mA(Io),供应商设备包装为DO-201AD,电压DC反向Vr Max为100V,电压正向Vf Max If为950mV@4A。