9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MURS360-M3/57T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MURS360-M3/57T参考价格为0.23529美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MURS360-M3/57T封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB。您可以下载MURS360-M3/57T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MURS360HE3_A/H，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，数据表注释中显示了用于DO-214AB、SMC的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-214A B、SMC，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@3V，该器件提供1.28V@4A正向电压Vf Max If，该器件具有600V直流反向电压Vr Max，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为75ns，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，Vf正向电压为1.28 V，Vr反向电压为600 V，如果正向电流为4A，恢复时间为75ns。
带有用户指南的MURS360HE3_A/I，包括600 V Vr反向电压，它们设计为在1.28V@4A电压正向Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于600V的直流反向Vr Max，提供1.28 V等Vf正向电压特性，供应商设备包设计为在DO-214AB（SMC）下工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该设备也可以用作汽车、AEC-Q101系列。此外，反向恢复时间trr为75ns，该设备以75ns恢复时间提供，该设备具有磁带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-214AB，SMC，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装类型为表面安装，如果正向电流为4A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@3V，电流平均整流Io为3A。
MURS360HE3/9AT是DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作10μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-214AB，SMC包装盒，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为75ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有DO-214AB（SMC）供应商设备包，直流反向电压Vr Max为600V，正向电压Vf Max If为1.25V@3A。
