9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5408-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5408-E3/73参考价格$3.048。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5408-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD。您可以下载1N5408-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5408-E3/54是DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD，包括1N54xx系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供零件别名功能，如1N5408-E3/73，单位重量设计为0.038801盎司，以及通孔安装样式，该装置也可用作DO-201AD轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-201AD供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.2V@3A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为3A，电容Vr F为30pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-50°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-50 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为200A。
1N5408-E3/51是DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD，包括1.2V@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在1000V（1KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-201AD中使用的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及DO-201AD轴向封装外壳，其工作温度范围为-50°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@1000V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为30pF@4V，1MHz。
带电路图的1N5408BP是IC芯片的一部分。
