9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SE10DDHM3/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SE10DDHM3/I参考价格为0.93000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SE10DDHM3/I封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 3A TO263AC。您可以下载SE10DDHM3/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SE10DBHM3/I，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.019048盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及eSMP商品名，它的工作温度范围为-55 C至+175 C。此外，封装外壳为to-263-3，D2Pak（2引线+接线片）变体，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的to-263AC（SMPD），配置为单一，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为15μA@100V，电压正向Vf Max If为1.15V@10A，电压反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为3A（DC），反向恢复时间trr为3000ns，电容Vr F为67pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C，最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围为-55℃，Vf正向电压为1.04 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为15 uA，If正向电流为10 A，最大浪涌电流为110 A，恢复时间为3 us。
带有用户指南的SE10DB-M3/I，包括1.15V@10A正向电压Vf Max，如果它们设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于to-263AC（SMPD）的供应商设备包，该产品提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，以及3μs反向恢复时间trr，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装。此外，封装外壳为TO-263-3，D2Pak（2引线+接线片）变体，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为15μa@100V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为67pF@4V，1MHz。
S-E-10AS带有电路图，包括棕色，设计用于静电耗散（SD）ESD保护，长度如数据表注释所示，用于10'（3.048m），提供产品类型功能，如编织/编织，系列设计用于海编编织和非编织型，该设备也可用于0.125“（3.18mm）宽。
