9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5401-E3/73,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5401-E3/73参考价格$3.318。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5401-E3/73封装/规格:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD。您可以下载1N5401-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5401-E3/54是DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD,包括1N54xx系列,它们设计用于标准回收整流器产品,包装如数据表注释所示,用于切割胶带(CT)替代包装,提供零件别名功能,如1N5401-E3/73,单位重量设计为0.038801盎司,以及通孔安装样式,该装置也可用作DO-201AD轴向包装箱。此外,安装类型为通孔,该设备在DO-201AD供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,速度为标准恢复>500ns,>200mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为5μa@100V,电压正向Vf Max If为1.2V@3A,电压直流反向Vr Max为100V,电流平均整流Io为3A,电容Vr F为30pF@4V,1MHz,工作温度结范围为-50°C~150°C,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-50 C,Vf正向电压为1.2 V,Vr反向电压为100 V,Ir反向电流为5 uA,如果正向电流为3A,最大浪涌电流为200A。
1N5401-B是DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD,包括100V Vr反向电压,它们设计为在1V@3A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了100V中使用的电压DC反向Vr Max,提供1V正向电压功能,单位重量设计为0.038801盎司,以及DO-201AD供应商设备包,该设备还可以用作标准恢复>500ns,>200mA(Io)速度。此外,该系列为1N54,该装置在标准回收整流器产品中提供,该装置具有散装包装,包装箱为DO-201AD,轴向,其工作温度接合范围为-65°C~150°C,安装类型为通孔,安装类型是通孔,其最低工作温度范围为-65C,最大浪涌电流为200 A,其最大工作温度范围为+150 C,Ir反向电流为10 uA,如果正向电流为3 A,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为10μA@100V,电流平均整流Io为3A,配置为单一,电容Vr F为50pF@4V,1MHz。
1N5401-E3/4,带有VIS制造的电路图。1N5401-E3/4在DO-201AD封装中提供,是IC芯片的一部分。