9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-MBRD320-M3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-MBRD320-M3参考价格为0.27637美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-MBRD320-M3封装/规格:DIODE SCHOTTKY 3A 20V DPAK。您可以下载VS-MBRD320-M3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VS-MBRB745TRLPBF,带引脚细节,包括汽车AEC-Q101系列,它们设计为与磁带和卷轴(TR)交替包装一起操作,包装箱如数据表注释所示,用于to-263-3、D2Pak(2引线+标签)、to-263AB,提供表面安装等安装类型功能,该器件还可以用作肖特基二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为100μA@45V,该器件提供570mV@7.5A电压正向Vf Max。如果,该器件具有45V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为7.5A,其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
VS-MBRB745TRRPBF带用户指南,包括570mV@7.5A正向电压Vf Max。如果设计为在45V电压DC反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于to-263AB(D2PAK)的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度功能,除了磁带和卷轴(TR)交替包装外,该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、TO-263AB封装盒,其工作温度结范围为-65°C~150°C,该器件为表面安装安装型,该器件具有二极管型肖特基,电流反向泄漏Vr为100μa@45V,电流平均整流Io为7.5A。
带有电路图的VS-MBRB745TRR-M3,包括400pF@5V、1MHz电容Vr F,它们设计为在7.5A电流平均整流Io下工作,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于100μa@45V,提供肖特基等二极管型功能,安装型设计用于表面安装,它的工作温度结范围为-65°C~150°C,该器件也可以用作TO-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、TO-263AB封装盒。此外,包装为磁带和卷轴(TR)交替包装,设备提供快速恢复=200mA(Io)速度,设备具有TO-263(D2Pak)供应商设备包装,电压DC反向Vr最大值为45V,电压正向Vf最大值为570mV@7.5A。