9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SE12DD-M3/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SE12DD-M3/I参考价格为0.92000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SE12DD-M3/I封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 3.2A TO263AC。您可以下载SE12DD-M3/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SE12DBHM3/I是DIODE GEN PURP 100V 3.2A TO263AC，包括Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列，它们设计用于标准回收整流器产品。数据表中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，该包装提供单位重量功能，如0.019048盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及eSMP商品名，它的工作温度范围为-55 C至+175 C。此外，封装外壳为to-263-3，D2Pak（2引线+接线片）变体，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的to-263AC（SMPD），配置为单一，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为20μA@100V，电压正向Vf Max If为1.15V@12A，电压反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为3.2A，反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为90pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C，最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vf正向电压为1.04 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为20 uA，If正向电流为12 A，最大浪涌电流为125 A，恢复时间为3 us。
带有用户指南的SE12DDHM3/I，包括200V Vr反向电压，它们设计为在1.15V@12A电压正向Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了200V中使用的电压DC反向Vr Max，提供了1.04 V等Vf正向电压功能，单位重量设计为0.019048盎司，以及eSMP商品名，该设备也可以用作TO-263AC（SMPD）供应商设备包。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备提供Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列，该设备具有3μs的反向恢复时间trr，恢复时间为3 us，产品为标准恢复整流器，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+标签）变体，它的工作温度范围为-55℃至+175℃，工作温度结范围为-555℃~175℃，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围是-55℃，最大浪涌电流为125 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为20 uA，如果正向电流为12 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为20μA@200V，电流平均整流Io为3.2A，配置为单，电容Vr F为90pF@4V，1MHz。
带有电路图的SE12DB-M3/I，包括90pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于3.2A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于20μa@100V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）变型封装盒。此外，包装为Digi-ReelR替代包装，该设备以3μs反向恢复时间trr提供，该设备具有Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列，速度为标准恢复>500ns、>200mA（Io），供应商设备包装为TO-263AC（SMPD），电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1.15V@12A。
