9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES3A-E3/9AT,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。ES3A-E3/9AT参考价格为0.23768美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES3A-E3/9AT封装/规格:DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB。您可以下载ES3A-E3/9AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ES3A-E3/57T是DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB,包括超快恢复整流器产品,它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起工作。数据表中显示了用于ES3A-E3/19AT的零件别名,该产品提供单位重量功能,例如0.010582盎司,安装样式设计为在SMD/SMT以及DO-214AB SMC包装箱中工作,该装置也可以用作表面安装型。此外,供应商设备包为DO-214AB(SMC),该设备为单配置,该设备速度快速恢复=200mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为10μa@50V,电压正向Vf Max If为900mV@3A,电压直流反向Vr Max为50V,电流平均整流Io为3A,反向恢复时间trr为30ns,电容Vr F为45pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C~150°C,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,Vf正向电压为900mV,Vr反向电压为50V,Ir反向电流为10uA,如果正向电流为3A,最大浪涌电流为100A,恢复时间为50ns。
ES3A-E3/51T是DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB,包括900mV@3A电压正向Vf Max。如果设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-214AB(SMC)的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,反向恢复时间trr设计为30ns,除了磁带和卷轴(TR)交替包装包装外,该设备还可以用作DO-214AB、SMC包装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该设备为表面安装型,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@50V,电流平均整流Io为3A,电容Vr F为45pF@4V,1MHz。
ES3ABF带有SK制造的电路图。ES3ABF采用SMBF封装,是IC芯片的一部分。