9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES3C-E3/9AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES3C-E3/9AT参考价格为0.23768美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES3C-E3/9AT封装/规格：DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB。您可以下载ES3C-E3/9AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ES3C-E3/57T是DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB，其中包括超快恢复整流器产品，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起工作。数据表中显示了用于ES3C-E3/19AT的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.010582盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及DO-214AB，SMC包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AB（SMC），该设备为单配置，该设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@150V，电压正向Vf Max If为900mV@3A，电压直流反向Vr Max为150V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为45pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为900mV，Vr反向电压为150V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为100A，恢复时间为50ns。
ES3CB-13-F是DIODE GEN PURP 150V 3A SMB，包括150 V Vr反向电压，它们设计为在900 V@3A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于150V的电压直流反向Vr Max，提供了900 mV等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.003280盎司，以及SMB供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为ES3CB，该设备提供25ns反向恢复时间trr，该设备具有25ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为DO-214AA，SMB，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为100 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为3 A，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μA@150V，电流平均整流Io为3A，并且配置为Single，电容Vr F为45pF@4V，1MHz。
ES3CB-13是DIODE GEN PURP 150V 3A SMB，包括45pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@150V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作DO-214AA、SMB封装盒。此外，包装为Digi-ReelR，设备提供25ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为SMB，电压DC反向Vr Max为150V，电压正向Vf Max If为900mV@3A。
