9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ESH2PDHM3/85A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ESH2PDHM3/85A参考价格为0.49000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ESH2PDHM3/85A封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA。您可以下载ESH2PDHM3/85A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ESH2PDHM3/84A是DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA，包括eSMPR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.000847盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-220AA包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-220AA（SMP），该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，正向电压Vf Max If为980mV@2A，直流反向电压Vr Max为200V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为25pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~175°C，Vr反向电压为200V，Ir反向电流为1uA，If正向电流为2A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为25ns。
ESH2PDHE3/84A是DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA，包括980mV@2A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-220AA（SMP）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-220AA，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为25pF@4V，1MHz。
ESH2PDHE3/85A是DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA，包括25pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于2A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作DO-220AA封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供25ns反向恢复时间trr，设备具有系列eSMPR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-220AA（SMP），电压DC反向Vr最大值为200V，电压正向Vf最大值为980mV@2A。
