9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SE10FDHM3/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SE10FDHM3/H参考价格为0.08696美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SE10FDHM3/H封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB。您可以下载SE10FDHM3/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SE10DJHM3/I，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.019048盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及eSMP商品名，它的工作温度范围为-55 C至+175 C。此外，封装外壳为to-263-3，D2Pak（2引线+接线片）变体，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的to-263AC（SMPD），配置为单一，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为15μA@600V，正向电压Vf Max If为1.15V@10A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为3A，反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为67pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C，最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vf正向电压为1.04 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为15 uA，If正向电流为10 A，最大浪涌电流为110 A，恢复时间为3 us。
带有用户指南的SE10FDHM3/H，包括200 V Vr反向电压，它们设计为在1.05V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表备注中显示了用于200V的电压直流反向Vr Max，提供950 mV等Vf正向电压功能，单位重量设计为0.005291盎司，以及eSMP商品名，该设备也可以用作DO-219AB（SMF）供应商设备包。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备在汽车AEC-Q101系列中提供，该设备具有780ns的反向恢复时间trr，恢复时间为780ns，产品为标准恢复整流器，包装为胶带和卷筒（TR）交替包装，包装箱为DO-219AB，它的工作温度范围为-55℃至+175℃，工作温度结范围为-555℃~175℃，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围是-55℃，最大浪涌电流为25 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，电流平均整流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为7.5pF@4V，1MHz。
带有电路图的SE10DJ-M3/I，包括67pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于15μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该设备也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+标签）变型包装盒。此外，包装为Digi-ReelR替代包装，该设备以3μs反向恢复时间trr提供，该设备具有Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列，速度为标准恢复>500ns、>200mA（Io），供应商设备包装为TO-263AC（SMPD），电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.15V@10A。
