9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RMPG06D-E3/100，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RMPG06D-E3/100参考价格为0.17919美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RMPG06D-E3/100封装/规格：DIODE GPP 1A 200V 150NS MPG06。您可以下载RMPG06D-E3/100英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RMPG06BHE3/54是DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.007125盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于MPG06、轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作MPG06供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为6.6pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为40 A，恢复时间为150 ns。
带用户指南的RMPG06BHE3_A/53，包括1.3V@1A正向电压Vf Max。如果设计为在100V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于MPG06的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、Superectifier R、，以及150ns反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带盒（TB）封装。此外，封装外壳为MPG06，轴向，其工作温度结范围为-55°C~150°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为6.6pF@4V，1MHz。
RMPG06BHE3_A/54带电路图，包括6.6pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μA@100V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-55°C~150°C，该装置也可作为MPG06轴向封装外壳使用。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供150ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为MPG06，电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A。
