9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ESH3B-E3/9AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ESH3B-E3/9AT参考价格为0.32076美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ESH3B-E3/9AT封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB。您可以下载ESH3B-E3/9AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ESH3B-E3/57T是DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB，包括超快速恢复整流器产品，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.010582盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，包装箱设计为在DO-214AB、SMC、，除了表面安装型外，该设备还可以用作DO-214AB（SMC）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为900mV@3A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为40ns，其工作温度结范围为-55℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为900 mV，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为3 A，最大浪涌电流为125 A，恢复时间为55 ns。
ESH338M010AL3AA是CAP ALM 3300UF 20%10V RADIAL，包括10V额定电压，其设计工作公差为±20%，尺寸尺寸如数据表注释所示，用于0.512“直径（13.00mm），提供ESH等系列功能，极化设计为在极性环境中工作，以及散装包装，该设备也可以用作径向、罐式包装箱，其工作温度范围为-40°C~105°C，该设备为通孔安装型，该设备在105°C时的寿命温度为2000小时，引线间距为0.197“（5.00mm），最大座高为0.866”（22.00mm），电容为3300μF，用途广泛。
ESH3B是“台湾半导体制造的整流器3A”。ESH3B采用SOD-123FL封装，是二极管、整流器阵列的一部分，并支持“整流器3A、整流器3A、100V、SUPER FAST Surf Mt Rect”。
