9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RMPG06G-E3/100，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RMPG06G-E3/100参考价格为0.17919美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RMPG06G-E3/100包装/规格：DIODE GPP 1A 400V 150NS MPG06。您可以下载RMPG06G-E3/100英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RMPG06DHE3_A/53，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、Superectifier系列，它们设计为使用磁带盒（TB）包装，数据表说明中显示了用于MPG06轴向安装型的包装盒，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计为在MPG06中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，该器件提供1.3V@1A电压正向Vf Max。如果，该器件具有200V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为6.6pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
RMPG06DHE3_A/54带用户指南，包括1.3V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于MPG06的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为150ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作MPG06轴向包装盒，其工作温度结范围为-55°C～150°C，该设备采用通孔安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为6.6pF@4V，1MHz。
RMPG06DHE3_A/73带有电路图，包括6.6pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μA@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-55°C~150°C，该装置也可作为MPG06轴向封装外壳使用。此外，包装为磁带盒（TB）交替包装，设备提供150ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为MPG06，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A。
