9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MURS320-E3/9AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MURS320-E3/9AT参考价格0.32076美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MURS320-E3/9AT封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB。您可以下载MURS320-E3/9AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MURS320-13-F是DIODE GEN PURP 200V 3A SMC，包括MURS320系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.007408盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，它的工作温度范围为-55℃至+150℃，该设备也可用作DO-214AB、SMC包装箱。此外，安装类型为表面安装，该设备在SMC供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为875mV@3A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为45pF@0V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为875 mV，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为75A，恢复时间为25ns。
MURS320-E3/57T是DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB，包括200 V Vr反向电压，它们设计为以875mV@3A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于200V的直流反向Vr Max，该200V提供了890 mV的正向电压特性，单位重量设计为0.010582盎司，以及DO-214AB（SMC）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为35ns，该设备以35ns恢复时间提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-214AB，SMC，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为125 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为4 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，电流平均整流Io为3A，配置为单一。
MURS320-E3，带有VISHAY制造的电路图。MURS320-E3采用SMC封装，是IC芯片的一部分。
