9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的RS1JLHR3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RS1JLHR3G参考价格为0.20631美元。台湾半导体公司RS1JLHR3G封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA。您可以下载RS1JLHR3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RS1B是DIODE GEN PURP 100V 1A SMA，包括快速恢复整流器产品，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用，数据表注释中显示了RS1B_NL中使用的零件别名，RS1B_N提供单位重量功能，如0.00739盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及DO-214AC SMA包装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SMA（DO-214AC），该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，Pd功耗为1.19 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为100 V，并且Ir反向电流是5uA，并且如果正向电流是1A，并且最大浪涌电流是30A，并且恢复时间是150ns。
RS1A-M3/61T是DIODE SW 1A 50V DO-214AC，包括1.3V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-214AA（SMA），提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为150ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F在4V、1MHz时为10pF。
RS1ATR是DIODE GEN PURP 50V 1A SMA，包括15pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@50V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供150ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为SMA（DO-214AC），电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A。
