9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYT51M-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYT51M-TAP参考价格为0.29700美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYT51M-TAP封装/规格：DIODE AVLANCHE 1KV 1.5A SOD57。您可以下载BYT51M-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYT51K-TR是DIODE AVLANCHE 800V 1.5A SOD57，包括标准回收整流器产品，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.013016盎司的包装，具有通孔、包装箱等安装方式特征，该装置也可以用作SOD-57供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型雪崩，电流反向泄漏Vr为1μa@800V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为1.5A，反向恢复时间trr为4μs，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.1 V（1 A），Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为1 uA，If正向电流为1.5 A，最大浪涌电流为50 A，恢复时间为4000 ns。
BYT51K-TAP是DIODE AVLANCHE 800V 1.5A SOD57，包括800V Vr反向电压，它们设计为在1.1V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了800V中使用的电压直流反向Vr Max，该800V提供了1.1 V的正向电压特性，例如1 a时的1.1 V，单位重量设计为0.013016盎司，以及SOD-57供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为4μs，该设备的恢复时间为4000 ns，该设备具有标准的产品恢复整流器，包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为SOD-57，轴向，其工作温度结范围为-55°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为50 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为1.5 A，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为1μA@800V，电流平均整流Io为1.5A，配置为单一。
BYT51M，带有VIS制造的电路图。BYT51M‘采用SOD-57封装，是IC芯片的一部分。
