9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYT54G-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYT54G-TAP参考价格为0.27720美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYT54G-TAP封装/规格：DIODE AVLANCHE 400V 1.25A SOD57。您可以下载BYT54G-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BYT54G-TAP价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BYT54D-TR是DIODE AVLANCHE 200V 1.25A SOD57，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于SOD-57，轴向包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供SOD-57等供应商设备包装功能，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及雪崩二极管类型，该器件还可以用作5μA@200V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.5V@1A，该器件提供200V电压直流反向Vr Max，该器件具有1.25A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为100ns，其工作温度结范围为-55°C~175°C。
BYT54D-TAP是DIODE AVLANCHE 200V 1.25A SOD57，包括1.5V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于SOD-57的供应商设备包，该SOD-57提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为100ns、，除了磁带盒（TB）替代封装外，该器件还可以用作SOD-57轴向封装外壳，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管雪崩型，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1.25A。
BYT54G，带有VISHAY制造的电路图。BYT54G采用SOD-57封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
