9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYT53D-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYT53D-TAP参考价格为0.29700美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYT53D-TAP封装/规格：DIODE AVLANCHE 200V 1.9A SOD57。您可以下载BYT53D-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYT53B-TR是DIODE AVLANCHE 100V 1.9A SOD57，其中包括超快恢复整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.013016盎司，提供安装类型的功能，如通孔，包装箱设计用于SOD-57、轴向、，该装置也可以用作SOD-57供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型雪崩，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1.9A，反向恢复时间trr为50ns，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.1 V（1 A），Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1.9 A，最大浪涌电流为50 A，恢复时间为50 ns。
BYT53C-TR是DIODE AVLANCHE 150V 1.9A SOD57，包括150 V Vr反向电压，它们设计为在1.1 V@1A电压正向Vf Max的情况下工作。如果数据表注释中显示了用于150V的电压直流反向Vr Max，它提供了1.1 V的正向电压特性，例如1 a时的1.1 V，单位重量设计为0.013016盎司，以及SOD-57供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备以50ns恢复时间提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为SOD-57，轴向，其工作温度接合范围为-55°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为50 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1.9 A，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为5μA@150V，电流平均整流Io为1.9A，配置为单一。
BYT53C-TAP是二极管AVLANCHE 150V 1.9A SOD57，包括单一配置，它们设计用于1.9A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于150V时的5μa，提供雪崩等二极管类型功能，它的最大工作温度范围为+175℃。此外，最大浪涌电流为50 A，最小工作温度范围是-55℃，装置有一个安装型通孔，安装类型为通孔，其工作温度连接范围为-55℃~175℃，封装外壳为SOD-57，轴向，包装为磁带盒（TB）交替包装，产品为超快恢复整流器，恢复时间为50ns，反向恢复时间trr为50ns；速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为SOD-57，单位重量为0.013016盎司，1 A时Vf正向电压为1.1V，电压DC反向Vr Max为150V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，Vr反向电压为150V。
