9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYT54K-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYT54K-TAP参考价格为0.29700美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYT54K-TAP封装/规格：DIODE AVLANCHE 800V 1.25A SOD57。您可以下载BYT54K-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BYT54J-TR是DIODE AVLANCHE 600V 1.25A SOD57，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于带卷（TR）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.013016盎司，具有通孔等安装类型特征，包装箱设计用于SOD-57轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作SOD-57供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的快速恢复速度为200mA（Io），该设备具有二极管型雪崩，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为1.5V@1A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为1.25A，反向恢复时间trr为100ns，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压在1 A时为1.5 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1.25 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为100 ns。
BYT54J-TAP是DIODE AVLANCHE 600V 1.25A SOD57，包括600 V Vr反向电压，其设计为在1A电压正向Vf Max下工作，如果数据表注释中显示了用于600V的电压直流反向Vr Max，其提供了1 a时1.5 V的正向电压特性，单位重量设计为0.013016盎司，以及SOD-57供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为100ns，设备以100ns恢复时间提供，设备具有产品快速恢复整流器，包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为SOD-57，轴向，其工作温度结范围为-55°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-55℃，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1.25 A，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为5μA@600V，电流平均整流Io为1.25A，配置为单一。
BYT54J，带有VISHAY制造的电路图。BYT54J采用SOD57封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
