9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BY255P-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BY255P-E3/73参考价格为0.538美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BY255P-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD。您可以下载BY255P-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BY255P-E3/54是DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD，包括标准回收整流器产品，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于BY255P-E3/73，其提供单位重量功能，如0.038801盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-201AD，轴向包装箱，该装置也可作为通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-201AD，该设备以单配置提供，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1300V，电压正向Vf Max If为1.1V@3A，电压直流反向Vr Max为1300V（1.3kV），电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为40pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为1300 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为150A，恢复时间为3000ns。
BY255GPHE3/54是DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD，包括1.1V@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在1300V（1.3KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-201AD中使用的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计为在SUPERECTFIERR中工作，除了3μs反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-201AD，轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@1300V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为40pF@4V，1MHz。
BY255GPHE3/73是二极管GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD，包括40pF@4V、1MHz电容Vr F，设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@1300V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它具有-65°C~175°C的工作温度连接范围，该设备也可以用作DO-201AD，轴向封装外壳。此外，包装为磁带盒（TB），该设备以3μs反向恢复时间trr提供，该设备具有系列的SUPERECTFIERR，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为DO-201AD，电压直流反向Vr最大值为1300V（1.3kV），电压正向Vf最大值为1.1V@3A。
