9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-MBRB745TRL-M3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-MBRB745TRL-M3参考价格为0.70873美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-MBRB745TRL-M3封装/规格：DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO263AB。您可以下载VS-MBRB745TRL-M3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MBRB745HE3/81是DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO263AB，包括肖特基整流器产品，它们设计用于带卷（TR）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.048678盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB、，该器件也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-263AB，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为100μa@45V，电压正向Vf Max If为840mV@15A，电压直流反向Vr Max为45V，电流平均整流Io为7.5A，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-65°C，15 A时Vf正向电压为0.84 V，Ir反向电流为100 uA，如果正向电流为7.5 A，Vrm重复反向电压为45 V，Ifsm正向浪涌电流为150 A。
MBRB745HE3/45是DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO263AB，包括45 V Vrm重复反向电压，它们设计为以840mV@15A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于45V的电压直流反向Vr Max，它提供了15 a时0.84 V的正向电压特性，单位重量设计为0.048678盎司，以及Si技术，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该器件采用肖特基整流器产品，该器件具有管交替封装，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-65°C~150°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为100 uA，Ifsm正向浪涌电流为150 A，如果正向电流为7.5 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为100μA@45V，电流平均整流Io为7.5A，配置为单一。
带电路图的MBRB745TR，包括400pF@5V、1MHz电容Vr F，它们设计用于7.5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100μa@45V，提供肖特基等二极管型功能，安装型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，设备具有供应商设备包的D2PAK，电压DC反向Vr Max为45V，电压正向Vf Max If为840mV@15A。
MBRB745HE3_A/I，带EDA/CAD型号，包括TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，它们设计用于与TO-263（D2Pak）供应商设备封装一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供二极管类型功能，如肖特基，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），AEC-Q101系列，该设备也可作为7.5A电流平均整流Io使用，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该设备提供570mV@7.5A电压正向Vf Max If，该设备具有45V电压反向Vr Max，电流反向泄漏Vr为100μa@45V。
