9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的ES1DHM2G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES1DHM2G参考价格为0.08798美元。台湾半导体公司ES1DHM2G封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC。您可以下载ES1DHM2G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ES1D-E3/61T是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC，包括ES1x系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供零件别名功能，如ES1D-E3/3AT，单位重量设计为0.003739盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可以用作DO-214AC、SMA包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-214AC（SMA）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为920mV@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为920 mV，Vr反向电压为200 V，并且Ir反向电流为5uA，并且如果正向电流为1A，则最大浪涌电流为30A，并且恢复时间为35ns。
ES1DE-TP是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC，包括975mV@1A正向电压Vf Max。如果设计为在200V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMAE）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为50ns，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-50°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为45pF@4V，1MHz。
ES1DF，电路图由LC/SUNMATE制造。ES1DF采用SMAF封装，是IC芯片的一部分。
ES1DG带有LS制造的EDA/CAD模型。ES1DG采用DO-214AC SMA封装，是二极管、整流器-单体的一部分，支持二极管GEN PURP 200V 1A DO214AC。
