9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYV27-050-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYV27-050-TR参考价格为0.29700美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYV27-050-TR封装/规格：DIODE AVLANCHE 55V 2A SOD57。您可以下载BYV27-050-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BYV26E-TR是DIODE AVLANCHE 1000V 1A SOD57，包括BYV26x系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.013016盎司，安装样式设计用于通孔，以及SOD-57轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为SOD-57，该设备为单配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电压正向Vf Max If为2.5V@1A，电压反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为75ns，工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为2.5 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为75ns。
BYV27-050-TAP是DIODE AVLANCHE 55V 2A SOD57，包括1.07V@3A电压正向Vf Max。如果它们设计为在55V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SOD-57中使用的供应商设备包，该SOD-57提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为25ns、，除了磁带盒（TB）替代封装外，该器件还可以用作SOD-57轴向封装外壳，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管雪崩型，电流反向泄漏Vr为1μa@55V，电流平均整流Io为2A。
BYV26G，电路图由PHILIPS制造。BYV26G采用SOD57封装，是IC芯片的一部分。
