9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SE12DDHM3/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SE12DDHM3/I参考价格为0.93000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SE12DDHM3/I封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 3.2A TO263AC。您可以下载SE12DDHM3/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SE12DBHM3/I是DIODE GEN PURP 100V 3.2A TO263AC，包括Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列，它们设计用于标准回收整流器产品。数据表中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，该包装提供单位重量功能，如0.019048盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及eSMP商品名，它的工作温度范围为-55 C至+175 C。此外，封装外壳为to-263-3，D2Pak（2引线+接线片）变体，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的to-263AC（SMPD），配置为单一，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为20μA@100V，电压正向Vf Max If为1.15V@12A，电压反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为3.2A，反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为90pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C，最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vf正向电压为1.04 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为20 uA，If正向电流为12 A，最大浪涌电流为125 A，恢复时间为3 us。
带有用户指南的SE12DB-M3/I，包括1.15V@12A电压正向Vf Max。如果它们设计为在100V电压直流反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于to-263AC（SMPD）的供应商设备包，该产品提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。该系列设计用于汽车、AEC-Q101、eSMPR、，以及3μs反向恢复时间trr，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装。此外，封装外壳为TO-263-3，D2Pak（2引线+接线片）变体，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为20μa@100V，电流平均整流Io为3.2A，电容Vr F为90pF@4V，1MHz。
SE125P-TR8是套筒膨胀灰色1.25“（31.8MM），包括灰色，设计用于直径1.250”（31.80mm）的操作，最大直径如数据表注释所示，适用于1.500“（38.10mm），具有200'（61.0m）等长度特征。材料设计用于聚对苯二甲酸乙二醇酯以及SE系列，该设备也可作为可膨胀套管类型使用。
