9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GP10Q-E3/54,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。GP10Q-E3/54参考价格为0.52000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GP10Q-E3/54封装/规格:DIODE GEN PURP 1.2KV 1A DO204AL。您可以下载GP10Q-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GP10N-E3/54是DIODE GEN PURP 1.1KV 1A DO204AL,包括SUPERCTIFIERR系列,它们设计用于标准回收整流器产品,包装如数据表注释所示,用于磁带和卷轴(TR),提供单位重量功能,如0.011711盎司,安装样式设计用于通孔,以及DO-204AL、DO-41、轴向包装箱,该装置也可以用作通孔安装型。此外,供应商设备包为DO-204AL(DO-41),该设备为单配置,该设备的标准恢复时间大于500ns,速度大于200mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为5μa@1100V,电压正向Vf Max If为1.2V@1A,电压直流反向Vr Max为1100V(1.1kV),电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为3μs,电容Vr F为7pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-65°C~150°C,其最大工作温度范围为+150°C;其最小工作温度范围是-65 C,Vf正向电压为1.2 V,Vr反向电压为1100 V,Ir反向电流为5 uA,如果正向电流为1A,最大浪涌电流为25A,恢复时间为3000ns。
GP10NHE3/54是DIODE GEN PURP 1.1KV 1A DO204AL,包括1.2V@1A正向电压Vf Max。如果设计为在1100V(1.1KV)直流反向电压Vr Max下运行,供应商设备包如数据表注释所示,用于DO-204AL(DO-41),提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),系列设计为在SUPERECTFIERR中工作,除了3μs反向恢复时间trr,该设备还可以用作磁带和卷轴(TR)包装。此外,封装外壳为DO-204AL,DO-41,轴向,其工作温度结范围为-65°C~150°C,装置具有安装型通孔,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为5μa@1100V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为7pF@4V,1MHz。
GP10NC60KD带有ST制造的电路图。GP10NC60 KD采用TO-220封装,是IC芯片的一部分。