9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GI250-3-E3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GI250-3-E3/54参考价格为0.20856美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GI250-3-E3/54封装/规格：DIODE GEN PURP 3KV 250MA DO204。您可以下载GI250-3-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GI250-2-M3/54，带销细节，包括Automotive、AEC-Q101、Superectifier系列，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）替代包装包装，数据表注释中显示了用于DO-204AL、DO-41、轴向的包装箱，提供安装类型特征，如通孔，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@2000V，该器件提供3.5V@250mA电压正向Vf Max If，该器件具有2000V（2kV）电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为250mA，反向恢复时间trr为2μs，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
GI250-2-M3/73，带用户指南，包括3.5V@250mA电压正向Vf Max。如果设计为在2000V（2kV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-204AL（DO-41）中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、超级整流器、，除了2μs反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带盒（TB）替代包装。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@2000V，电流平均整流Io为250mA。
GI250-2HE3/73是DIODE GEN PURP 2KV 250MA DO204，包括3pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于250MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@2000V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，其工作温度范围为-65°C~175°C，该装置也可作为DO-204AL、DO-41、轴向包装箱使用。此外，包装为磁带盒（TB），该设备以2μs反向恢复时间trr提供，该设备具有系列的SUPERECTFIERR，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为DO-204AL（DO-41），电压直流反向Vr最大值为2000V（2kV），电压正向Vf最大值为3.5V@250mA。
