9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GP10T-E3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GP10T-E3/54参考价格为0.52000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GP10T-E3/54封装/规格：DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO204AL。您可以下载GP10T-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GP10Q-M3/54，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，数据表注释中显示了用于DO-204AL、DO-41、轴向的包装盒，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计为在DO-204AL（DO-41）中工作，以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr在1200V时为5μA，该器件提供1.1V@1A电压正向Vf Max If，该器件具有1200V（1.2kV）电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为7pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
带有用户指南的GP10Q-M3/73，包括1.1V@1A电压正向Vf Max，如果设计为在1200V（1.2kV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-204AL（DO-41）中使用的供应商设备包，该产品提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，除了3μs反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带盒（TB）替代包装。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度结范围为-65°C~150°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@1200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为7pF@4V，1MHz。
GP10QHM3/73带电路图，包括7pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@1200V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于通孔，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该装置也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，包装为磁带盒（TB），该设备以3μs反向恢复时间trr提供，该设备具有自动AEC-Q101系列，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为DO-204AL（DO-41），电压直流反向Vr最大值为1200V（1.2kV），电压正向Vf最大值为1.1V@1A。
