9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S3GHE3_A/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S3GHE3_A/I价格参考$0.51000。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S3GHE3_A/I封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB。您可以下载S3GHE3_A/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您要找的东西，可以通过电子邮件或在线消息与我们联系，例如S3GHE3_A/I价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
S3G-E3/9AT是DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB，包括标准回收整流器产品，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，数据表中显示了用于S3G-E3/57T的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.010582盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AB SMC包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AB（SMC），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，电压正向Vf Max If为1.15V@2.5A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为2.5μs，电容Vr F为60pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，2.5A时Vf正向电压为1.15 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为100A，恢复时间为2500ns。
S3GHE3/57T是DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB，包括1.15V@2.5A电压正向Vf Max。如果它们设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AB（SMC）的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为2.5μs，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AB、SMC封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为60pF@4V，1MHz。
S3GHE3/9AT是DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB，包括60pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@400V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作DO-214AB、SMC封装盒。此外，包装为Digi-ReelR，设备提供2.5μs反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AB（SMC），电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.15V@2.5A。
