9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S3BHE3_A/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S3BHE3_A/I价格参考0.18073美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S3BHE3_A/I封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB。您可以下载S3BHE3_A/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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S3BHE3/57T是DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于DO-214AB SMC封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如DO-214AA（SMC），速度设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作10μA@100V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.15V@2.5A，该器件提供100V电压直流反向Vr Max，该器件具有3A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为2.5μs，电容Vr F为60pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
S3BHE3/9AT是DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB，包括1.15V@2.5A电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AB（SMC）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为2.5μs，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AB、SMC封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为60pF@4V，1MHz。
S3B-EH（LF）（SN）是CONN HEADER EH SIDE 3POS 2.5MM，包括自然色，它们设计为与集管、护罩连接器类型一起工作，接触面如数据表注释所示，提供接触配合长度功能，例如0.157“（4.00mm），接触式设计用于阳销，以及锁闩锁紧固型，该装置也可以用作通孔、直角安装型。此外，位置数为3，设备在所有加载位置数中提供，设备的行数为1，包装为散装，节距为0.098”（2.50mm），系列为EH，终端为压配合。
