9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的S2KHM4G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S2KHM4G参考价格为0.08883美元。台湾半导体公司S2KHM4G封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA。您可以下载S2KHM4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S2K-E3/5BT是DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA，包括标准回收整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起使用。数据表注释中显示了用于S2K-E3-52T的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006349盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及DO-214AA，SMB包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AA（SMB），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μa@800V，电压正向Vf Max If为1.15V@1.5A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为1.5A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为16pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.15 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为1.5A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为2000ns。
S2K-E3/52T是DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA，包括800V Vr反向电压，它们设计为在1.15V@1.5A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于800V的直流反向Vr Max，该800V提供1.15 V的正向电压特性，单位重量设计为0.006349盎司，以及DO-214AA（SMB）供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为2μs，该设备以2000 ns恢复时间提供，该设备具有产品标准恢复整流器，零件别名为S2K-E3/5BT，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为DO-214AA，SMB，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为50 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为1.5 A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为1μA@800V，平均整流电流Io为1.5A，并且配置为Single，电容Vr F为16pF@4V，1MHz。
S2KAT-ND带有电路图，包括切割器、钳子内容，它们设计用于XceliteR系列，用途如数据表注释所示，用于一般用途。
S2K-E3/61T，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。S2K-E3/61T采用SMB封装，是IC芯片的一部分。
