9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的S2MHM4G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S2MHM4G参考价格为0.08883美元。台湾半导体公司S2MHM4G封装/规格：DIODE GEN PURP 2A DO214AA。您可以下载S2MHM4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S2M-E3/52T是DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214，包括标准回收整流器产品，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于S2M-E3/5 BT，提供单位重量功能，如0.006349盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AA SMB包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AA（SMB），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.15V@1.5A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1.5A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为16pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.15 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为1.5A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为2000ns。
S2M-E3/5BT是DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214，包括1000 V Vr反向电压，它们设计为在1.15V@1.5A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于1000 V（1KV）的电压直流反向Vr Max，提供1.15 V等Vf正向电压功能，单位重量设计为0.006349盎司，以及DO-214AA（SMB）供应商设备包，该设备也可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为2μs，该设备以2000 ns恢复时间提供，该设备具有产品标准恢复整流器，零件别名为S2M-E3/52T，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为DO-214AA，SMB，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为50 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为1.5 A，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μA@1000V，电流平均整流Io为1.5A，并且配置为Single，电容Vr F为16pF@4V，1MHz。
S2M-E3/62，带有VISHAY制造的电路图。S2M-E3/62采用SMB封装，是IC芯片的一部分。
S2MF带有SK制造的EDA/CAD模型。S2MF采用SMAF封装，是IC芯片的一部分。
