9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的NSB8BT-E3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSB8BT-E3/45参考价格0.50589美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division NSB8BT-E3/45封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB。您可以下载NSB8BT-E3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSB8ATHE3_A/I，带有引脚细节，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB，提供表面安装等安装类型功能，以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@50V，该器件提供1.1V@8A电压正向Vf Max If，该器件具有50V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为55pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的NSB8ATHE3_A/P，包括1.1V@8A正向电压Vf Max。如果它们设计为在50V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263AB的供应商设备包，该产品提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及管替代包装包装，该器件也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为55pF@4V，1MHz。
NSB8ATHE3/81是DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB，包括55pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于8A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@50V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有供应商设备包装的TO-263AB，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1.1V@8A。
