9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的NSB8DT-E3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSB8DT-E3/45参考价格0.50589美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division NSB8DT-E3/45封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB。您可以下载NSB8DT-E3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSB8BTHE3_A/I，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB，提供表面安装等安装类型功能，以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@100V，该器件提供1.1V@8A电压正向Vf Max If，该器件具有100V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为55pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的NSB8BTHE3_A/P，包括1.1V@8A正向电压Vf Max。如果设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263AB的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，除了管交替封装外，该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为55pF@4V，1MHz。
NSB8DT带有TI制造的电路图。NSB8DT采用TO-263封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
